扩展槽是不一样，DDR3比DDR2頻率高，速度更快，容积大，特性高。

　　DDR3运行内存相对性于DDR2运行内存，实际上仅仅规格型号上的提升 ，并沒有真实的全方位更新换代的新构架。DDR3触碰针角数量同DDR2皆为240pin。可是防错的空缺部位不一样。DDR3在大空间运行内存的适用不错，而大空间运行内存的分界点是4gB这一容积，4gB是32位系统电脑操作系统的实行限制(不考虑到PAE这些的运行内存印象方式，因这种32位系统米米拓宽方式仅仅衔接方法，会减少效率，不容易在零售销售市场变成技术性流行)当市场的需求超出4gB的情况下，64位CPU与电脑操作系统便是唯一的解决方法，这时也就是DDR3运行内存的普及化阶段。

一、DDR2与DDR3运行内存的特点差别：

　　1、逻辑性Bank总数

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计方案，目地便是为了更好地解决将来大空间处理芯片的要求。而DDR3很可能将从2Gb容积发展，因而起止的逻辑性Bank便是八个，此外还为将来的16个逻辑性Bank搞好了提前准备。

　　2、封裝(Packages)

　　因为DDR3增加了一些作用，在脚位层面会有所增加，9ait处理芯片选用78球FBGA封裝，16bit处理芯片选用96球FBGA封裝，而DDR2则有60/68/84球FBGA封裝三种规格型号。而且DDR3务必是翠绿色封裝，不可以带有一切有害物。

　　3、突发性长短(BL，Burst Length)

　　因为DDR3的预取为9ait，因此 突发性传送周期时间(BL，Burst Length)也固定不动为8，而针对DDR2和初期的DDR构架的系统软件，BL=4也是常见的，DDR3因此提升了一个4-bit Burst Chop(突发性突然变化)方式，即由一个BL=4的载入实际操作再加上一个BL=4的载入实际操作来生成一个BL=8的数据信息突发性传送，到时候可根据A12详细地址线来操纵这一突发性方式。

　　4、寻址方式时钟频率(Timing)

　　如同DDR2从DDR变化而成后延迟时间周期时间数提升一样，DDR3的CL周期时间也将比DDR2逐步提高。DDR2的CL范畴一般在2至5中间，而DDR3则在5至11中间，且额外延迟时间(AL)的设计方案也有一定的转变。DDR2时AL的范畴是0至4，而DDR3时AL有三种选择项，各自是0、CL-1和CL-2。此外，DDR3还新提升了一个时钟频率主要参数——载入延迟时间(CWD)，这一主要参数将依据实际的输出功率而定。

二、与DDR2对比DDR3具备的优势(桌面式unbuffered DIMM)：

　　1.速率更快：prefetch buffer总宽从4bit提高到9ait，关键同頻率下传输数据量可能是DDR2的二倍。

　　2.更节电：DDR3 Module工作电压从DDR2的1.8V减少到1.9V，同頻率下比DDR2更节电，配搭SRT(Self-Refresh Temperature)作用，內部提升溫度senser，可依溫度实时控制升级率(RASR，Partial Array Self-Refresh作用)，做到节电目地。

　　3.容积更高：大量的Bank总数，按照JEDEC规范，DDR2应可进入企业米米4gb的容积(亦即一条控制模块可去8GB)，但现阶段很多DRAM生产商的整体规划，DDR2生产制造很有可能会绕过这一4gb企业米米容积，换句话说到时候一条DDR2的DRAM控制模块，容积较大 很有可能总是到4gB。而DDR3控制模块容积将从2GBB跳起，现阶段整体规划一条控制模块到16GB也没什么问题(留意：这儿指的是零售拼装销售市场专用型的unbuffered DIMM来讲，server用的FB与Registered不在此限)。