三星256GB闪存信息曝光 三星256GB闪存内容介绍。4月3日消息,作为UFS闪存标准的缔造者和领导者,三星在今年2月底发布了全球首款容量高达256GB的UFS2.0闪存芯片,受到了业界的极大关注。
目前,Sammobile最新透露了三星这款闪存的最新消息,可以看到该UFS芯片型号为KLUEG8U1EM-B0B1,芯片封装尺寸为11.5x13x1.2mm,仅在厚度上比32GB芯片厚了0.2mm,其MLC采用的是双传输信道的G3 2Lane规格,据三星官方宣称该闪存最高读取速度为850MB/S,而写入速度为260MB/S,读/写操作IOPS分别可达45,000、40,000,可以说是目前最快的闪存芯片之一了。
据称这块闪存芯片目前已经成功流片,同时三星公司正在加紧进行测试,相信距离大规模量产的时间不久了,或许三星下半年的旗舰Galaxy Note6将会用上这块目前为止最为强大的闪存芯片。
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